射频离子源
射频离子源依据匹配耦合形式可以分为ICP和CCP两种：
ICP离子源主要应用于光学镀膜中等离子辅助和后反应（氧化或氮化），太阳能、显示行业行业中大面积PECVD沉积、清洗，及氧化物和氮化物镀膜、DLC镀膜等，其特点：- •裂解离化率高，可达到90%左右
- •满足低离子能量的工艺需求
- •工作压力范围宽，在0.01-10Pa环境下使用
- •无灯丝，接近中性等离子束
- •几乎可使用任何工艺气体，腐蚀性气体配置差压泵
- • 集成匹配器，射频功率转换效率高
- •离子能量和离子电流密度单独可控
- •长期工艺稳定性高，无颗粒问题，低污染等级
CCP离子源主要应用于离子束刻蚀、PECVD沉积 、离子束溅射 、离子束抛光和清洁、离子束辅助沉积等工艺中，其特点：
- •采用电容耦合，能量高，离子能量可精确控制在20- 2000eV，离子电流密度可达6mA/cm²
- •无石英部件，无颗粒及工艺污染，可长时间运行使用
- •可以使用包括反应气体在内的工艺气体，并可使用混合气体
- •中性和平行束流，基材无电荷积累
- •在特定压力范围内非常均匀的能量分布
- • 离子源尺寸可扩展大面积，高沉积速率且抗真空敏感性强
- • 提取栅网接地，无短路问题，但栅网为耗材(钨)
- •射频电源自动匹配，且频率可选
