射频离子源依据匹配耦合形式可以分为ICP和CCP两种： ICP离子源主要应用于光学镀膜中等离子辅助和后反应（氧化或氮化），太阳能、显示行业行业中大面积PECVD沉积、清洗，及氧化物和氮化物镀膜、DLC镀膜等，其特点：裂解离化率高，可达到90%左右 、 满足低离子能量的工艺需求 、 工作压力范围宽，在0.01-10Pa环境下使用

高能等离子轰击源更适用于镀膜前处理工序中，针对有机基材更为有效，其主要功能是基片清洗，清洗基片表面污染物、基材表面活化增加膜基结合力、减少基底缺陷、增加基片表面能、携氧量等。在特殊场合可与阳极层离子源组合使用效果更加。其设计结构可实现多样性，满足不同使用条件。

阳极层离子源应用广泛，在各种镀膜系统中均均有应用，其主要功能： 1、基片清洗：清洗基片表面污染物、基材表面活化增加膜基结合力、减少基底缺陷、增加基片表面能、携氧量等。 2、辅助沉积：对工作气体进行离化，作为磁控溅射过程中的离子辅助沉积，同时提高膜层粒子在表面的迁移、扩散能力，有利于形成凝聚力更高的致密的膜层组织。

磁控溅射技术在光伏制造、ITO触屏、LOW-E、光学、半导体等各行业有广泛应用。溅射阴极一般为矩形平面和旋转圆柱结构，各有不同应用优势，在不同激励电源的驱动下，可以单靶、双靶使用，在多层复合膜的工艺情况，选用多靶组合使用。 JUMO磁控溅射阴极全部自主研发设计制造，集成国际技术升级国产化，特点如下...